Auf der Grundlage eines am Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik der LUH neu entwickelten Isolatormaterials (einkristallines Gadoliniumoxid) gelang es zusammen mit Forschern vom Indian Institute of Technology Bombay (IITB) und der Universität Aalto in Finnland MOS HEMTs (high mobility electron transistor) herzustellen, die über exzellente Eigenschaften verfügen. So ist der Leckstrom um 5 Größenordnungen geringer als bei konventionellen Lösungen. Auch das on/off-Verhältnis von 100000 ist überragend.
Die Ergebnisse wurden gemeinsam in der Zeitschrift Applied Physics Letters publiziert. Die renommierte Informationsplattform "Semiconductor Today" hält diese Ergebnisse für so wichtig, dass sie am 20.9. einen Feature-Artikel darüber veröffentlichte. Die weltweit gelesene Info-Plattform entscheidet selbst, welche Publikationen/Ergebnisse sie für die wichtigsten hält (ca. 1-3 Infos pro Woche) und verbreitet die Informationen damit sehr stark (zum Leserkreis gehören insbesondere auch Industriemanager usw.).
Weitere Details finden Sie hier und unter folgendem Link: www.semiconductor-today.com/news_items/2019/sep/iit-200919.shtml
